17-单片机stm32的flash保存数据优化方案(让擦写次数达到上百...
说明此套方案是刚刚给别人做的项目的一个存储方案,因为很实用,几乎大家都用的到,所以分享给大家使用!制作原因:我项目上使用的STM32的Flash存储的数据,STM32的Flash可以反复擦写1万次左右,由于项目上需要反复的操作Flash,一个小时就需要操作一次,如果每次都擦写,这样算下来一年就擦写了 8760次,也就可以用 10000/8760 = 1.1年左右就坏掉了. 解决方案思想1.首先大家需要知道,凡是数据是0xFF的地址,不需要再次擦除就可以写入.假设一页1024字节,先全部擦除了由于上面说的特性,可以这样做,第一次写一个数据到Flash的0地址第二次写一个数据到Flash的1地址第三次写一个数据到Flash的2地址每次写的时候就不需要擦除!
2.其实如果想真正的应用其实是下面这样子准备好几页Flash,准备一个固定大小的数组,把数据放到数组里面然后把数组里面的数据拷贝进第一页的最前面,然后再更新数组里面的数据再把数组的数据拷贝到第一页后面没有使用的地方,然后就是循环如果第一页不能拷贝了,就把数据拷贝到第二页,然后擦除第一页如果第二页不能使用了,就把数据拷贝到第三页,然后擦除第二页如果第三页不能使用了,就把数据拷贝到第四页,然后擦除第三页如果第四页不能使用了,就把数据拷贝到第一页,然后擦除第四页然后就是循环假设数组是20个数据,Flash的每一页最大存储是510个数据那么每页Flash擦除一次以后可以使用 510/20 = 25次如果Flash的擦写次数是10000次,那么当前的方式可以使用25*4*10000 = 100万次当然如果还嫌小,可以多加几页,如果用10页25*10*10000 = 250万次也可以减小数组大小,如果只存2个数据510/2*4*10000 = 1020万次
源码使用1.需要这两个文件用户把以下两个文件移植到自己的工程即可使用!
2.存储数据1.请用户自行修改Flash的大小和存储数据的页地址
2.默认最大存储20个数据(u16型),第一个和最后一个不可用,最大存储18个数据请用户根据自己的需求修改!
3.把数据存储到Flash
4.关于存储的数据用户把数据放到了数组flash_helper_struct.FlashHelperData的位置其它地方需要这个数据,只需要获取上面数组里面的数据即可!如果用户需要查看Flash里面的数据,用户需要在调用完刷新以后调用FlashHelperGetIndex(1);//1是索引,要和上面数组的下标保持一致.
3.设备重启以后获取先前存入的数据1.在初始化存储函数后面直接用索引获取即可!
简要概括
1.实际上存数据就是把数据写到flash_helper_struct.FlashHelperData 数组然后调用FlashHelperUpdate();函数刷新一下即可!注意:flash_helper_struct.FlashHelperData //第一位和 flash_helper_struct.FlashHelperData//最后一位我作为了数据开头和结尾标识,用户不能使用
用户可以用 FlashHelperGetIndex函数获取刚刚写入的数据用来判断是不是写入成功.如果写入不成功可以再次调用 FlashHelperUpdate();函数然后再调用 FlashHelperGetIndex函数获取刚刚写入的数据
扩展代码是先写入再判断擦除,一是保证确实写进去,二是为了下面的问题.假设写入数据的时候突然断电了用户可以在断电中断函数里面重新设置一下数组的值然后调用一下刷新函数!注意:供电电池不一样,可以存储的数据个数不一样用户需要自行去测试!!!
源码执行效率1.好的代码,一是稳定性,二是执行效率其实操作Flash要想执行效率高,就不要频繁的擦除!当前程序是存储25次数据,擦除一次Flash.
结语该缓存适合经常操作数据的场合,不经常操作的数据请用户存到别的地方!!!不要把所有的数据都用这个方案缓存,因为没有意义!
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